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本文標(biāo)題："燒結(jié)方法不同所得制品將具有不同的顯微結(jié)構(gòu)"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2020-2-24 1:03:15 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
燒結(jié)方法不同所得制品將具有不同的顯微結(jié)構(gòu)
結(jié)構(gòu)陶瓷主晶相具有強(qiáng)共價鍵性，其基本性能有相似處：均有耐熱性
、耐腐蝕性、高硬度(僅次于金剛石和氮化硼)，高耐磨性、小熱膨脹系數(shù)
、抗熱震性強(qiáng)、高溫機(jī)械強(qiáng)度很大以及重量輕等優(yōu)良性能，亦存在著可加
工性差、斷裂韌性低、抗機(jī)械沖擊能力小等共同弱點(diǎn)。由于兩者的主晶相
不同，基本性能亦存在差異，上要有：Si：N，具有較高的強(qiáng)度和抗熱震性
，為優(yōu)良的絕緣體，而氮化硅瓷的強(qiáng)度通常較小，可制品的尺寸穩(wěn)定，能
制備形狀復(fù)雜的制品，而且燒結(jié)溫度亦較低；SiC的強(qiáng)度較低，但在高溫條
件下不會明顯地下降．具有半導(dǎo)體性能(注意!高純度的Si(：為絕緣體)，
導(dǎo)熱性能較好．硬度優(yōu)于氮化硅，而碳化硅瓷燒結(jié)體的強(qiáng)度通常較大，制
品的各項(xiàng)性能亦較好。
氮化硅瓷的豐晶相Si，N，晶體有低溫d，／型和高溫夕型兩種變體，
二者均屬六方晶系，晶體結(jié)構(gòu)亦非常類似。莫氏硬度為9，加熱到1400、C
以上即不可逆地轉(zhuǎn)變?yōu)椋?…Si，N4，／9…Si：N+的莫氏硬度亦為9，沒有
熔點(diǎn)，在1900C左右即分解完畢。S人N：是人造晶體，通常采用金屬硅氮化
、二氧化硅還原、鹵化硅氧化、硅烷反應(yīng)等方法合成而得。
碳化硅瓷主晶相為SiC晶體，亦有低溫盧型和高溫。型兩種變體．均屬
六方晶系晶體。十SiC的莫氏硬度約為9．5—9．75，在1800C以上不可逆轉(zhuǎn)
地轉(zhuǎn)變?yōu)?，r—SiC。(，r—SiC的晶格通常由多個菱面體晶胞組成多種形
態(tài)，硬度略高于／9…SiC，o—SiC約在2600亡左右發(fā)生分解，最后殘留下
石墨。SiC在自然界幾乎不存在。9、在隕石中偶有發(fā)現(xiàn)，扔；是人造晶體
�？捎枚趸惶歼�原、硅碳直接反應(yīng)、氣相反應(yīng)和氣相熱分解等方法合
成而得。
氮化硅瓷和碳化硅瓷均有反應(yīng)燒結(jié)和加入添加劑的熱壓燒結(jié)兩類燒結(jié)
方法。燒結(jié)方法不同所得制品將具有不同的顯微結(jié)構(gòu)，主晶相的晶型亦不
—·樣，以氮化硅瓷為例：反應(yīng)燒結(jié)氮化硅瓷的宅晶相為�！猄i，N：?在
顯微鏡下呈毛毯狀，為針狀晶體的集合體，如圖6—42所示；而用熱壓法燒
制的氮化硅瓷的豐晶相是／9…Si；N+，為粒狀或短柱狀集合體。如圖6—
．13所示，i0；可形成如圖6—．44所示山氏柱狀或針狀／)…S山N，集合
體構(gòu)成的顯微結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)還可對制品起到自補(bǔ)強(qiáng)的增韌效果。它們均
為半透明礦物，反射光下呈灰白色，反射率為12．之氣，舊6—4： 反應(yīng)
燒結(jié)氮化硅瓷的顯微
結(jié)構(gòu)掃描電鏡圖6—43 熱題燒結(jié)氮化畦瓷的顯微
結(jié)構(gòu)掃描電鏡根據(jù)4：r札和／：相的相對含量、晶粒的形狀和大小等
。就可以幫助判斷燒成制度是否合理。
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