C-AFM的優(yōu)缺點

傳統(tǒng)上我們尋找有漏電或open現(xiàn)象的contact或via時，都是在FIB里利用ion image的voltage contrast做判斷，但是它只能偵測大漏電或者完全open的情況，若是漏電微小或者阻值偏高時，這個方法就毫無用武之地。C-AFM利用電性量測的原理，可以偵測到pico，甚至是fento安培級的電流，因此微小漏電與高阻值的缺陷將無所遁形，不僅大大提高故障分析的成功率，也對制程改善微小缺陷提供了明確的方向，隨著制程尺寸愈趨縮小，對微小缺陷的容忍度越來越低，C-AFM正好提供這方面強大的分析能力，因此在未來漏電與高阻值的偵測上，C-AFM的運用比例將逐漸提高。

C-AFM由于是用納米級的探針做偵測，所以它的影像解析度也可高達奈米級，與FIB影像不遑多讓，所以在90nm逐漸量產(chǎn)之際，甚至未來的65nm與45nm的產(chǎn)品，C-AFM也是足堪應付。

但也因為C-AFM是用探針做直接接觸式的測量，故探針的耗損率也是很高，故此分析工具平常的保養(yǎng)與耗材費用將所費不貲。

依照先前所述的C-AFM量測原理，它是量測探針與基座的漏電電流，所以若偵測到了漏電，它必然是垂直方向的路徑，但如果漏電路徑是水平方向的，如subthreshold漏電，C-AFM仍是沒有能力偵測出的。