過去幾年以來，對于超薄層、離散式與高功率半導(dǎo)體元件在背面金屬黏著與銲錫接點的需求有明顯的增加，對特定的矽晶圓種類、電阻率、摻雜等級與被沈積的金屬或金屬疊層而言，為了提供矽晶圓表面一個優(yōu)良的背面金屬黏著接點，潔淨(jìng)的矽晶圓背部表面是必要的。這表面是非常關(guān)鍵的，其使背面金屬層不會因封裝的內(nèi)部應(yīng)力和熱而龜裂或剝離，導(dǎo)致良率或性能降低。

　在消費性產(chǎn)品中需要更薄的基板，其半導(dǎo)體矽晶圓需要薄化到150微米以下，晶圓薄化最常見的方法是機械式背面研磨(backgrinding)制程。雖然背面研磨有著相對較低的成本(cost-of-ownership)，但是卻會在矽晶之間留下包含微裂痕(micro-crack)和晶體差排(crystal dislocation)等不平整表面，在背面金屬化處理時產(chǎn)生了應(yīng)力點和黏著性不牢固的點。儘管與最后所使用的研磨輪有關(guān)，對于某些背面金屬黏著制程以及晶片的封裝厚度要求而言，此制程能生產(chǎn)出可接受的底部矽晶圓表面。因為背面研磨使得矽晶圓非常堅硬，不容許晶圓有可撓性，導(dǎo)致矽晶圓和背面金屬層就可能因此而龜裂。例如2000-grit修整輪盤，像這樣細(xì)緻的研磨輪盤經(jīng)常被使用來減少從粗糙的背面研磨制程中所產(chǎn)生的細(xì)微裂痕到最低程度，然而，因為紋路和粗糙程度緣故，處理后之表面對大部份的金屬黏著制程而言并非理想。再者，研磨輪盤隨著使用而劣化，而且劣化程度絕對不是固定的。因此，再現(xiàn)性是另外一項重要的問題。

　最常用來減少細(xì)微裂痕和晶體差排的方法是單一晶圓濕式化學(xué)蝕刻，這是使用無機化學(xué)藥品的組合來選擇性蝕刻在矽晶圓基板上所衍生出來的損傷。濕式化學(xué)蝕刻可以提供介于0.44至1.77微米間的均勻與特定底部晶圓表面粗糙度。這些表面可以經(jīng)由使用不同的化學(xué)蝕刻劑和溫度來達成，進而提供最佳化的背面金屬黏著性。因為表面經(jīng)過了化學(xué)處理，所以背面研磨所衍生的損傷可藉由化學(xué)反應(yīng)來移除，而得到最佳的背面金屬粗糙度表面。另外經(jīng)由改變化學(xué)和制程的參數(shù)也可能形成相當(dāng)平整的矽晶圓表面。