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(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品報(bào)價(jià))
掃描延伸電阻顯微儀是對(duì)映出樣品內(nèi)隱含的電導(dǎo)率或電阻率的二維分佈對(duì)比影像,可應(yīng)用于半導(dǎo)體性及III-V、II- V I半導(dǎo)體,如LEDs、photo-detectors及l(fā)aser diode等。
此外SSRM對(duì)微小變量的摻雜濃度,亦有極佳的解析能力。
因?yàn)閷?dǎo)電式顯微儀的電流感測(cè)靈敏度極佳,
故可應(yīng)用于電性極差或厚度為奈米尺度的絕緣性樣品,如半導(dǎo)體、DLC薄膜、生醫(yī)材料(bio-materials)、導(dǎo)電高分子(conductive polymer)、氧化物(oxides)
及鐵電材料忙(ferro-electric material)。
例如
(1)應(yīng)用于檢測(cè)介電層薄膜的電性瑕疵:在樣品SiO2,可藉由此方法來判斷薄膜的均勻性或介電層的崩潰電壓;
(2)應(yīng)用于檢測(cè)連電性高分子薄膜的電性。
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