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本文標題："最厚的CCD則擁有200μm～300μm的厚度"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-1-18 0:23:49 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
由于前照式CCD是經由前方的多晶矽閘極受光，不可避免地，將有一部分的
入射光會在此損失。因此，對前照式CCD而言，在可見光波段只能提供約50%的量
子效率。另一方面，入射光卻是直接進入背照式CCD的矽基板，在此無阻礙的情況
下，將顯著地提昇背照式CCD在可見光波段的量子效率，甚至在某些波段范圍內可達
到90%以上的量子效率。在下圖1.7中將可見各自量子效率的表現
但令人可惜的是，即使是背照式CCD，在靠近較長波長約900nm及更紅波段處，
對由矽為所組成材料的CCD而言，都將漸漸地如同透明般被直接穿透，因而，紅外波
段的量子效率將大大地衰減至10%以下。并且在此波長較長的波段范圍，將會由于干
涉效應的干擾產生條紋圖案(fringe pattern)的問題，此一影響將對測光分析的精準性帶
來重大差異。在圖1.8中將可看見，在波長增長的情況下，條紋圖案的干擾也越明顯嚴
重
如今在半導體制成技術與時漸進日益成熟的提升下，終于成功開發(fā)新一代CCD。
所以更進一步地，背照式CCD又可依矽基板的厚度將之分成傳統(tǒng)的薄型CCD、深空
乏層型(Deep Depletion)CCD及全空乏層型(Fully Depleted)CCD。薄型CCD主要厚度
介在15μm～20μm之間。深空乏層型CCD的厚度約為40μm～80μm。而最厚的全空乏
型CCD則擁有200μm～300μm的厚度。
在增加矽基板厚度的條件下，意味著光子行走的路徑也將增長，進而提高了近紅
外光在矽中被吸收的機率。因此，在針對背照式CCD厚度的改良下，在近紅外波段的
量子效率將大幅地提昇。在圖1.7中也可見，深空乏層型CCD在波長較長的波段范圍中
的量子效率有極明顯的提升。更甚之，在近紅外波長約1000 nm處，對照此波段下傳統(tǒng)
薄型CCD與全空乏型CCD的量子效率，甚至達到數倍的差異。
另一方面，也由于矽基板厚度的增加，對深空乏層型CCD及全空乏型CCD來說，
在近紅外長波長波段將改善或消除由干涉效應所帶來的條紋圖案之影響
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