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首先沉積氧化鋅薄膜在不同靶材功率下,在沉積壓力2×10-3,其結(jié)晶性排列較緊密,
有較低之電阻率值為9.8 × 10-2Ω-cm。氧化鋅薄膜在可見光區(qū)其光穿透率皆可達到80%以上,
而其光學(xué)能隙與載子濃度有關(guān),藉由吸收光譜圖起始吸收峰值約(380 nm) ,其能隙范圍約為3.10 eV。
為了提升元件效率,更進一步降低電阻率是必行之路,由于微量的摻雜其他金屬離子可以有效改善氧化鋅導(dǎo)電特性,
因此藉由摻雜少量的鈦來沉積氧化鋅摻鈦薄膜,于鋅靶功率700瓦(W)與鈦靶功率700瓦(W)時,
有最低之電阻率為4.8 ×10-3 Ω-cm,且氧化鋅摻鈦薄膜之穿透率皆可達到80%以上,
而其能隙被寬化由3.10 eV增加至3.27 eV,并隨著載子濃度增加而增加,
摻雜少量的鈦確實改善了氧化鋅薄膜的導(dǎo)電性質(zhì)。
因此本研究亦將探討薄膜厚度、靶材功率和工作氣氛對于氧化鋅摻鈦薄膜性質(zhì)的影響,
以期能達到鍍層的較佳之導(dǎo)電及光學(xué)性質(zhì)。
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