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比較四片具有不同結(jié)構(gòu)的氮化銦鎵/氮化鎵多
重量子井樣品的奈米結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性。其中三個(gè)樣品在成長與控制樣品相同的高濃度量子井結(jié)構(gòu)之前,
先成長一低濃度之量子井,同時(shí),低濃度量子井上分別成長不同的厚度之氮化鎵阻障層。
我們利用穿透式電子顯微術(shù)及應(yīng)力分布分析軟體分析這四片樣本的奈米結(jié)構(gòu),由穿透式電子顯微術(shù)所得之影像,
我們可觀察到量子井間不同程度的銦原子聚集現(xiàn)象以及成分不均勻的變化。經(jīng)由應(yīng)力分佈分析計(jì)算其各個(gè)量子井的平均濃度,
在與控制樣品的結(jié)果比較之下,我們發(fā)現(xiàn)愈接近低濃度量子井的高濃度量子井具有越高的銦含量。
這樣的銦濃度增加現(xiàn)象應(yīng)歸因于低濃度量子井的應(yīng)力對(duì)于上層產(chǎn)生影響。
同時(shí),我們發(fā)現(xiàn)此種預(yù)施應(yīng)力效應(yīng)所造成的影響會(huì)隨量子井層數(shù)的增加而減小。
在這四片樣品的光學(xué)特性比較中,可發(fā)現(xiàn)他們的發(fā)光波長雖然大致都位于500奈米,
但從穿透式電子顯微術(shù)之影像中,我們發(fā)現(xiàn)當(dāng)預(yù)施應(yīng)力阻障層越薄,
在發(fā)光二極體中隨著電流注入的增強(qiáng)而產(chǎn)生的波長藍(lán)移現(xiàn)象會(huì)變的越小
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