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錫有面心立方的晶構(gòu),有非等方向性的屬性。
例如:它的導(dǎo)電性是非等方向性的。在錫變成Cu-Sn或Ni-Sn 介金屬化合物時(shí),介金屬化合物也有非等向性的晶構(gòu)。
因?yàn)槟潜硎驹赥SV晶片上大量的微凸塊,每一個(gè)微凸塊的屬性都有可能不同。從可靠度的角度來(lái)說(shuō),
在失效統(tǒng)計(jì)上,這可說(shuō)是很大的因素。因此有些微凸塊會(huì)發(fā)生早期故障(early failure)。
所以控制每片TSV晶片上的微凸塊的微電子結(jié)構(gòu)或結(jié)晶是很重要的,為了在其中得到一致的微電子結(jié)構(gòu)。然而,在TSV晶片上有成百或上千個(gè)微凸塊,這將會(huì)是一個(gè)挑戰(zhàn)。
為了使微凸塊內(nèi)部介金屬化合物有方向性成長(zhǎng)以及轉(zhuǎn)變成均勻的微結(jié)構(gòu),
焦點(diǎn)集中在微凸塊里的介金屬化合物和如何控制它們的形成。
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