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本文標題："開發(fā)高量測精度可運用于測量膜材料儀器"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-4-24 1:27:51 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
開發(fā)高量測精度可運用于測量膜材料儀器
準分子激光退火技術已經廣泛的被使用來制作低溫多晶矽膜(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS)，
由于所制作出的低溫多晶矽膜之表面粗糙度會影響低溫多晶矽薄膜電晶體(thin film transistors, TFTs)之電性，
因此運用低溫多晶矽膜制作低溫多晶矽薄膜電晶體前，解析低溫多晶矽膜之表面粗糙度值，
傳統(tǒng)解析矽膜之表面粗糙度值方法缺點為設備昂貴。
制作低溫多晶矽薄膜電晶體所需之矽膜表面粗糙度快速解析系統(tǒng)。
開發(fā)成本低廉，可運用于半導體薄膜材料，制程線上即時解析表面型貌
特色包含前置作業(yè)時間短、量測速度快以具備優(yōu)良之量測精度。
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