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鈦酸鋇為基底的陶瓷材料因為其優(yōu)越的鐵電性質(zhì)而廣泛地應(yīng)用于電子工業(yè)中,
微結(jié)構(gòu)在鐵電性能的表現(xiàn)上扮演了很重要的角色。本研究即利用不同的燒結(jié)曲線制備出具有不同微結(jié)構(gòu)之鈦酸鋇試樣。
在微結(jié)構(gòu)的觀察中,發(fā)現(xiàn)鈦酸鋇的試樣中呈現(xiàn)出非連續(xù)性的晶粒成長(亦稱為異常晶粒成長)。
在燒結(jié)溫度為1320℃-1360℃且持溫時間2小時的試樣中,
其微結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)了典型的混合結(jié)構(gòu):同時存在正常小晶粒和異常大晶粒。透過定量的顯微結(jié)構(gòu)特征分析,
可以得到正常晶粒和異常晶粒的粒徑變化情形。對小晶粒而言,其平均粒徑從1.9 μm稍微增加到 2.2 μm,
對大晶粒而言則是從122 μm成長到211 μm。大小晶粒之間的晶粒尺寸差異,相差了將近100倍,
而且沒有發(fā)現(xiàn)到任何具有中間尺寸的晶粒。藉由進一步的顯
微觀察可以發(fā)現(xiàn)到有一個我們稱為“擬-異常晶粒”的區(qū)域,
是由許多群聚的小晶粒所組成。推測對鈦酸鋇而言,此“擬-異常晶�!眳^(qū)域的形成,可以提供一個從小晶粒到大晶粒的過渡轉(zhuǎn)變。
本實驗亦對鈦酸鋇在直流電場下的可靠度進行研究。我們利用高加速壽命測試來模擬長時間使用下之介電崩潰并進一步估算鈦酸鋇的可靠度,
同時利用韋伯統(tǒng)計的技巧對破壞時間的分佈進行分析。鈦酸鋇的韋伯模數(shù)分布在0.21-0.52之間。并透過直流崩潰電場測試來得到鈦酸鋇的介電強度。
具有越多數(shù)目大晶粒的試樣,其介電強度越低。透過顯微結(jié)構(gòu)的觀察,對于在直流電場下不同的測試方式:高加速壽命破壞測試以及直流崩潰電場測試,
其介電崩潰的破壞機制也不相同。對于直流電場崩潰測試而言,微裂縫在高電場誘發(fā)應(yīng)變的影響下所造成之裂縫成長是造成介電崩潰的原因。
而因為局部熱集中所造成的熱崩潰 (thermal runaway)現(xiàn)象,則被視為在高加速壽命測試下介電崩潰的主要機制。
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