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本文標(biāo)題："量測(cè)金屬連線電容等微小電容的儀器常識(shí)"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-5-30 0:16:06 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
量測(cè)金屬連線電容等微小電容的儀器
由于金屬連線(interconnect) 的寄生電容對(duì)電路的影響
越來(lái)越大，對(duì)先進(jìn)的超大型積體電路而言，金屬連線配置
的最佳化已變成決定電路好壞的其中一個(gè)重大關(guān)鍵
電路設(shè)計(jì)工程師必須在設(shè)計(jì)過(guò)程中，適當(dāng)?shù)匕堰@些寄生的
電容考慮進(jìn)來(lái)，而要做到這點(diǎn)，那就必須先對(duì)金屬連線的
寄生電容做完整且正確的量測(cè)與模型化。
然而，金屬連線電容的量測(cè)并不是一件簡(jiǎn)單的事。
傳統(tǒng)的電感電容電阻量測(cè)器(LCR meter) 是最常用來(lái)量測(cè)
電容的工具，但是利用電感電容電阻量測(cè)器量測(cè)晶片上的待測(cè)電容(CDUT) 時(shí)，整個(gè)量測(cè)系統(tǒng)中的寄生電容，
或是量測(cè)時(shí)探針墊貢獻(xiàn)的寄生電容，都會(huì)影響量測(cè)的精準(zhǔn)度，所以設(shè)計(jì)給電感電容電阻量測(cè)器量測(cè)的電容，
通常會(huì)設(shè)計(jì)成容值高達(dá)數(shù)十pico-farad的大面積電容，這樣可以降低校正量測(cè)環(huán)境寄生電容不夠精準(zhǔn)時(shí)所造成的影響。
然而金屬連線電容的單位面積電容小，待測(cè)電容所需的面積更大，這在工業(yè)界的應(yīng)用上是相當(dāng)不方便的。
介紹的電荷式電容量測(cè)方法(Charge-Based Capacitance Measurement, CBCM)是一種簡(jiǎn)單而且可直接在晶片上作量測(cè)的電容量測(cè)方法，
這個(gè)方法在1996年首次被提出來(lái)[8]，由于其量測(cè)精準(zhǔn)度可小至0.01 fento-Farad，
所以電荷式電容量測(cè)非常適合用來(lái)量測(cè)像金屬連線電容這樣的微小電容。
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