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本文標(biāo)題："使用金相顯微鏡觀察矽晶基板的表面粗糙度"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-5-30 17:25:02 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
矽晶基板所使用之單晶、多晶基板主要制作技術(shù)為複線式線鋸切割制程(Multi-wire sawing process)。
發(fā)展快速熱退火（Rapid thermal annealing, RTA）方法及實(shí)驗(yàn)設(shè)備應(yīng)用于線鋸切削制程成品中以
探討材料改質(zhì)對(duì)于切削晶片的厚度均勻性、表面粗糙度、破壞深度之影響，
由Within-Wafer的觀察法可知在退火溫度提升到550℃時(shí)，
單一晶片上不同位置厚度值及厚度標(biāo)準(zhǔn)差為最佳，并且切削至黏膠面位置時(shí)的厚度值與粗糙度跳動(dòng)較��；
Between-Wafer觀察法則可得知在經(jīng)過(guò)550℃快速熱退火后的平均厚度，在不同切削成品位置可因?yàn)榻档土司檫叺?br />
情況因而得到較為平均的分佈。因此經(jīng)快速熱退火后可由顯微觀察及測(cè)試，可改善切穿晶片過(guò)程中的晶格破裂情況、
晶片邊緣不完整性與降低切穿時(shí)不穩(wěn)定狀態(tài)所造成的破壞深度等情況。其中破壞深度可由550℃RTA后改善約52%。
運(yùn)用在研發(fā)切削薄化晶圓的晶片厚度與表面粗糙度改善，進(jìn)而達(dá)到切削大尺寸高品質(zhì)矽晶圓基板之應(yīng)用。
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