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本文標(biāo)題："利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測(cè)樣品表面"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-6-18 1:27:29 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測(cè)PMMA
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測(cè)PMMA 受EUV 光照射后
的樣品表面圖貌，并觀測(cè)到PMMA 隨著曝光劑量的相變化，其相變化表
面形貌的差異可能是因?yàn)獒寶馕镔|(zhì)無(wú)法釋出所致，此一現(xiàn)象為剝蝕現(xiàn)象
導(dǎo)致薄膜樣品膜厚的變異
典型的光阻涂布材料中分別為上層的光阻層及底部抗反射層(BARC,
Bottom Anti-Reflection Coating)。在 DUV 的微影制程當(dāng)中，底部抗反射
層的主要功能是用來(lái)消除駐波效應(yīng)(Standing Wave Effect)、薄膜干涉效應(yīng)
(Thin Film Interference Effect)及凹缺效應(yīng)(Notching Effect)，以增進(jìn)光阻成
像能力。
但因物質(zhì)在EUV 光波段均具有強(qiáng)烈吸收的因素，意即光照射
樣品后因物質(zhì)強(qiáng)烈吸收因素使得光的反射效應(yīng)可忽略，底部抗反射層已
不具原來(lái)的抗反射效應(yīng)性質(zhì)；故在EUV 區(qū)段中，涂布底部抗反射層其主
要功能是增加光阻附著力、避免因底層下方污染擴(kuò)散至光阻所產(chǎn)生的光
阻毒化現(xiàn)象、增進(jìn)平坦化之輔助成像功能，故在EUV 微影光阻底下輔助
成像的材料又稱為底層材料(UL, Underlayer material)
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