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本文標(biāo)題："細(xì)微截面量測(cè)實(shí)驗(yàn)儀器-測(cè)量型工具顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-7-21 0:36:23 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
細(xì)微截面量測(cè)實(shí)驗(yàn)儀器-測(cè)量型工具顯微鏡
費(fèi)米能級(jí)
利用光電子顯微術(shù)在微區(qū)探測(cè)半導(dǎo)體表面的電子結(jié)
構(gòu)，同時(shí)以表面電位顯微儀為輔量測(cè)其費(fèi)米能階的位置。我們的半導(dǎo)體材料主
要分為氮化鎵以及矽兩部分。
在氮化鎵方面，我們是利用分子束磊晶(MBE)在Si(111)的基板成長(zhǎng)出厚各
約1.5 μm 的pn 接面，且在超高真空現(xiàn)場(chǎng)劈裂，利用波帶環(huán)片將光束聚焦到
70~100 nm 的大小以便于我們?cè)谖^(qū)非極性氮化鎵截面上量測(cè)其能帶結(jié)構(gòu)。由
實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)此項(xiàng)創(chuàng)新的技術(shù)可直接從截面量測(cè)到平帶的電子結(jié)構(gòu)情形。而在
表面電位的量測(cè)分析中我們得到了經(jīng)曝大氣后表面均會(huì)受到影響而改變其電
性，因而具有表面能帶偏折以及費(fèi)米能階釘扎的結(jié)果。
在矽方面我們采取離子布植的方式來形成pn 接面的結(jié)構(gòu)，同樣也是在超高
真空現(xiàn)場(chǎng)劈裂量測(cè)Si(111)劈裂面的表面能帶結(jié)構(gòu)，再藉由霍爾量測(cè)(Hall
measurement)得到的載子濃度計(jì)算其費(fèi)米能階的位置。在 n 的部份我們已由霍
爾量測(cè)證實(shí)光電子顯微術(shù)可量測(cè)到平帶的結(jié)果。且在表面電位的量測(cè)上，在大
氣中劈裂樣品量測(cè)其截面仍是具有表面能帶偏折的現(xiàn)象。
由我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)一般掃描電位顯微儀用來量測(cè)費(fèi)米能階的位置常受
到外在因素的影響而無法準(zhǔn)確得知，但藉由掃描式光電子顯微術(shù)，將光束聚焦
至幾百奈米等級(jí)的大小，可達(dá)到在微區(qū)量測(cè)干凈截面的實(shí)驗(yàn)要求，而直接得到
本質(zhì)費(fèi)米能階的位置
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