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本文標(biāo)題:"金屬、陶瓷、元件等材料顯微結(jié)構(gòu)尺寸測量"

新聞來源:未知 發(fā)布時(shí)間:2013-8-5 23:04:17 本站主頁地址:http://www.y7853.cn

金屬、陶瓷、元件等材料顯微結(jié)構(gòu)尺寸測量


近年來對(duì)金屬、陶瓷、半導(dǎo)體元件等材料之研究,可發(fā)現(xiàn)這些材料之薄膜特性,會(huì)受到其表
面或界面晶體結(jié)構(gòu)的影響甚大。

在薄膜材料的性質(zhì)上,系受到制程、顯微結(jié)構(gòu)、結(jié)晶方向、厚度、
雜質(zhì)以及界面等因素影響,
即使相同成份,所得到的性質(zhì)也會(huì)有些差異。為了探討材料晶向結(jié)
構(gòu),以及其薄膜內(nèi)應(yīng)力分析,以得知金屬薄膜之特性,在本次實(shí)驗(yàn)中,
將使用 X 光繞射儀量測晶向結(jié)構(gòu)以以及 3D 表面輪廓儀來量測薄膜的內(nèi)應(yīng)力。

薄膜制作
使用硅晶圓(Silicon wafer)為P-type (100)的芯片,硅芯片經(jīng)過化學(xué)機(jī)械單面拋光,其電阻率
介于5~10 Ω-cm,直徑為99.5 mm~100.5 mm,厚度則為500~550 μm。
將硅晶圓切割成2 cm × 2cm

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