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覆晶芯片的失敗往往是由于芯片金屬層與基體間的缺陷所造成。
易產(chǎn)生缺陷的區(qū)域包括焊凸點和固化填充材料,以及芯片結(jié)構(gòu)上的鈍化層與低K介電層金屬層基礎(chǔ)。
這些缺陷的固有風(fēng)險是它們可能在使用中擴大并造成覆晶芯片的連接中斷。
由于焊凸點的尺寸的減小,造成電氣連接的缺陷,如分層,孔洞和裂紋,的尺寸也在縮小。
這些缺陷通常由聲波無損顯微成像來揭示的�?蓪�(dǎo)致失效的焊料點和異常缺陷尺寸的縮小就
要求發(fā)展具有較高的空間分辨率的超聲傳感器。高頻率的標(biāo)準一度是230兆赫,
但如今300兆赫和400兆赫傳感器的已用于倒裝芯片研究。
傳感器在覆晶芯片背面的掃描移動而形成聲學(xué)顯微圖像。單片硅是不尋常的材料,
因為它能非常有效地傳播超聲波,而對超聲波而言這種材料幾乎透明的。
超聲波頻率非常高的主要限制是他們無法穿透到材料的深層,但即使是400兆赫超音波通常
也可穿透硅片并可顯示深層特征的高分辨率聲波圖像。
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