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某些較新的正面漿料會特別強調(diào)印出的電極可達到又窄又高,
并加大截面積以維持足夠的導電能力。由于正面細電極相當接近 P-N 接
面,對于光電轉(zhuǎn)換效率的好壞有較大的影響,
其線寬和間距也須參考硅芯片導電特性或其它制程條件的改變而進行修改,
以追求更高的光電轉(zhuǎn)換效率。要做出相當細的電極,當然也需與漿料、
網(wǎng)版的操作性質(zhì)配合。
而正面電極的制作,也有些材料、設(shè)備供應(yīng)商提出以電鍍法
取代網(wǎng)印制程,強調(diào)更致密的銀或銅有機會做出比需要燒結(jié)而有多孔
質(zhì)的銀漿具有更好導電特性的電極。目前有新的電極印刷制程,但因
為電極印刷兩次產(chǎn)生之錯位問題將導致轉(zhuǎn)換效率相對降低,所以本研
究針對兩次印刷產(chǎn)生錯位問題進行補正,以提高太陽能芯片之轉(zhuǎn)換效率
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