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蔗糖晶體圖像檢測(cè)用光學(xué)
顯微鏡-分析晶體粒度
利用恒溫流動(dòng)式顯微照相系統(tǒng)來(lái)研究蔗糖溶液中,
果糖雜質(zhì)對(duì)于蔗糖晶體成長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)之影響。
并且觀察到符合Constant Crystal Growth(CCG) Model 之成長(zhǎng)速率分布。實(shí)驗(yàn)觀察發(fā)現(xiàn),
果糖存在于蔗糖溶液中,可以增加蔗糖晶體的成長(zhǎng)速率;果糖分子結(jié)構(gòu)與蔗糖有一部分相似,
故很容易排入蔗糖之晶格中,產(chǎn)生新的生長(zhǎng)點(diǎn),使得整體蔗糖晶體的成長(zhǎng)速率增加。
并研究出一個(gè)可以描述晶體成長(zhǎng)速率增加的現(xiàn)象之模式,這個(gè)模式假導(dǎo)入一個(gè)有效因子(effectiveness factor,α)
的概念來(lái)考慮雜質(zhì)吸附在晶體表面對(duì)其成長(zhǎng)之影響,當(dāng) ,吸附于晶體表面的雜質(zhì)可促進(jìn)晶體成長(zhǎng);
當(dāng)時(shí),雜質(zhì)則有抑制晶體成長(zhǎng)的情形發(fā)生;而 時(shí),雜質(zhì)吸附則對(duì)晶體成長(zhǎng)情形毫無(wú)影響。
溶液流動(dòng)相當(dāng)快,使得質(zhì)傳擴(kuò)散速率相當(dāng)快,
因此可假設(shè)晶體成長(zhǎng)速率是以表面反應(yīng)步驟為速率決定步驟,
雜質(zhì)吸附于晶面會(huì)達(dá)到一動(dòng)態(tài)平衡,
并且利用Langmuir恒溫吸附來(lái)表示晶體表面覆蓋率與溶液中雜質(zhì)濃度之關(guān)系。
最后,利用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)帶入此模式以非線性迴歸求得有效因子(α)與Langmuir吸附常數(shù)(K)。
骨科植入物料316L 不銹鋼的疲勞性質(zhì)與破壞分析。
研究所采用的材料為AISI 316 L 不銹鋼,試件的種類有單軸拉伸試件和軸向疲勞
試件兩類。材料經(jīng)過(guò)成分元素分析及度的熱處理后,于INSTRON雙軸式勞試件依據(jù)骨接
合板常見的幾合參數(shù)作改變,在破壞分析上,則包括成份元素分析,金相組織顯
微觀察破斷面檢視。
結(jié)果顯示,AISI 316L不銹鋼,無(wú)論在成份元素和機(jī)械基本強(qiáng)度都符合ASTM Grade
2生醫(yī)材料的規(guī)格要求。軸向疲勞試件,于中心孔徑值愈大,寬度值愈小,應(yīng)力比逼
近零時(shí)和偏心率愈大時(shí),其疲勞強(qiáng)度明顯地降低,可知這些幾何條件下,應(yīng)力集中現(xiàn)
象愈趨強(qiáng)烈。研究所得的資料與曲線,亦與理論互相符合。
測(cè)試后的破斷試件,依據(jù)ASTM的規(guī)格要求,切割成適當(dāng)大小,將破斷面置于多功能掃
描式電子顯微鏡下分析,并比較不同條件下的顯微金相組織,與結(jié)果相互驗(yàn)證
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