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本文標(biāo)題："TEM電子顯微鏡應(yīng)用于金屬晶體結(jié)構(gòu)微結(jié)構(gòu)分析"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-11-6 17:32:13 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
TEM電子顯微鏡應(yīng)用于金屬晶體結(jié)構(gòu)微結(jié)構(gòu)分析
微結(jié)構(gòu)分析(Microstructure analysis)- TEM
由前面晶體結(jié)構(gòu)以及磁性質(zhì)的分析，發(fā)現(xiàn)最佳的(001)優(yōu)選方位及垂直磁異性是
發(fā)生在退火溫度 800℃系列樣品中，膜厚 30 nm 的 FePt 薄膜；另外發(fā)現(xiàn)在這個(gè)退火
系列中有一臨界膜厚，就是在膜厚 40 nm 以下，即小于 40 nm 跟大于 40 nm 時(shí)，F(xiàn)ePt
薄膜在同一退火溫度下，它竟然會(huì)產(chǎn)生結(jié)晶方位上及磁性質(zhì)上完全不一樣的不連續(xù)
變化，此一臨界厚度，就是我們想要研究的對(duì)象，它非常有趣，也從來(lái)沒(méi)被報(bào)導(dǎo)過(guò)，
所以挑選這個(gè)退火系列膜厚20、30、40及50 nm的樣品，進(jìn)行穿透式電子顯微鏡(TEM)的研究。
膜厚 20 nm 樣品的 TEM 影像圖，它的晶粒尺寸大小很不均勻，大
的晶粒尺寸超過(guò) 100 nm(約達(dá) 200 nm)，小的晶粒尺寸低于 20 nm，樣品膜厚增至 30nm 時(shí)，
晶粒尺寸變得很大，最大的超過(guò) 1μm，在影像圖中發(fā)現(xiàn)很多線條，
推測(cè)可能是平面缺陷，也可能是一些邊界或結(jié)構(gòu)上的缺陷，很難斷定哪一個(gè)地
方是晶界，只清楚的看到它的晶粒很大，這點(diǎn)可從后面的磁區(qū)結(jié)構(gòu)的分析獲得印證。
到了膜厚 40 nm 時(shí)，檢視圖中的晶粒尺寸，發(fā)現(xiàn)它變得很小，
甚至比膜厚 20 nm 樣品晶粒的尺寸還小，這點(diǎn)很特別，事實(shí)上，仔細(xì)觀察膜厚 40 nm 的
TEM 影像圖，發(fā)現(xiàn)到它的晶粒橫向尺寸快要小于縱向尺寸。
膜厚增至 50 nm 時(shí)，TEM 影像圖，發(fā)現(xiàn)晶粒尺寸突然變得
很平均，即晶粒的縱向尺寸大約等于其橫向尺寸，約 50 nm
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