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(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品報(bào)價(jià))
集成電路的不同封裝結(jié)構(gòu)檢測立體
顯微鏡
紅外線熱顯像儀實(shí)測與CFD 軟件模擬五種不同封裝結(jié)構(gòu)高功率LED 元件的接
面溫度結(jié)果顯示消耗功率為9.92W (350mA)時,A, B, C, D 及E Type 試樣的接面溫度
分別是84.32℃, 82.87℃, 81.91℃, 81.36℃與81.2????0℃,擺放間距最小的A Type
與最大的E Type,兩者間的接面溫度相差3.12℃,顯示擺放間距小的A Type 無法快速地將
LED 晶片所產(chǎn)生的熱傳至空氣中,因此具有最高的接面溫度。當(dāng) GaN-base 晶片間距
從0.5 mm 增加至2.0 mm 時(間距相差4 倍),晶片所產(chǎn)生的熱能可以有效地的傳導(dǎo)出
來。透過CFD 軟件模擬得知,更改散熱基板的材質(zhì)、增加散熱鰭片的厚度(表面積)
或是增大LED 晶片尺寸皆能有效地降低高功率LED 元件的接面溫度以及熱阻
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