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環(huán)境溫度或低溫真空烘烤16小時(shí)以上,最終形成的器件電參數(shù)變化反映了封裝
表面吸收濕氣或其他揮發(fā)性材料的征兆.當(dāng)被抽真空的器件不能接觸高溫時(shí),便采用
環(huán)境溫度或低溢真空烘烤。
若由于許多原因,的任何一種原因而不能對(duì)器件進(jìn)行殘余氣體分析,則六封裝中
戮通的小孔能在環(huán)境溫度真空烘烤期間從封裝內(nèi)部除去潮氣和揮發(fā)性氣體。器件電
性能的改變或恢復(fù)表明封裝中存在被吸收的潮氣。
高溫真空烘烤
高溫真空烘烤(100^-200攝氏度 )最終造成的電參數(shù)變化仍然是封裝表面上存在污染
物的征兆。高溫真空烘烤能在較短處理時(shí)間內(nèi)觀察到漏電變化。
在兩種真空供烤情況下,應(yīng)將器件放在充氮?dú)獾娜萜骰蚋稍锲鲀?nèi),直到準(zhǔn)備進(jìn)行
測(cè)試。在高溫真空烘烤的情況下,這將使器件在測(cè)試之前冷卻和穩(wěn)定而不會(huì)吸收任何
多余的潮氣。器件在真空烘烤之后,還必須極其小心,以防重新污染。
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