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在較高的滲硅溫度(1000°C)下得到的滲層,除了不等軸的氣孔外,還存在
大量的等軸氣孔——有圓形的和帶棱角的。拉長的氣孔一般指向表面,比900°C
時得到的滲層中的氣孔更狹窄。在1000°C滲硅以后,看到了沿滲硅表面成行排
列的氣孔,即平行于兩個擴散相之間的接觸面;這是這種氣孔擴散源的標志,
在純鐵的滲硅層中,沒有明顯成行的隔絕式氣孔,但存在最大的疏松區(qū),該疏松
區(qū)和低硅的底層相接。
隨滲硅溫度增加到1100°C,氣孔在尺寸上大大減小,但仍保留等軸,其中有
一部分為圓形。
增加滲硅溫度,可明顯改變滲層中最大氣孔率區(qū)遙位置。在1000°C時,45鋼
的最大氣孔率區(qū)平行于滲硅表面,并接近滲層的內(nèi)部邊界;在1100°C時,成行
排列的氣孔離內(nèi)部邊界顯然要遠些。
在兩個擴散相中,最大氣孔率區(qū)和開始接觸的相表面之間的距離取決于其局部
擴散系數(shù)之比。因為滲硅時,形成成行的氣孔主要決定于發(fā)生在燒結(jié)期間的擴散
動力學(xué)。在1100°C時,氣孔接近于滲層的外部邊界,看來這可用硅和鐵的分擴
散系統(tǒng)之比減小來解釋。在滲硅過滲中采用強化方法時,溫度愈高,碳的聚集數(shù)
量就愈大,這應(yīng)該有利于碳在滲層下面聚集。
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