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(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品報(bào)價(jià))
硅氧化層的另一個(gè)重要作用是保護(hù)和鈍化表面。
氧化層表面的穩(wěn)定性優(yōu)予未氧化的表面。硅氧化層的
化學(xué)結(jié)構(gòu)與硅玻璃一樣,所以氧化層似乎能夠較好地隔絕周圍
的雜質(zhì)�?梢哉f,這一前景被平面技術(shù)實(shí)現(xiàn)了(盡管硅器件還依
靠封裝來避免外界的影響)。此外,在電氣性能上,平面器件比
表面沒有氧化層保護(hù)的器件在性能上有比較顯著韻提高。
氧化層也可以用作硅片與制作在氧化層上的薄膜器件和布
線之間的絕緣層。最近,它還用作制作(隱埋)在無源硅支持結(jié)構(gòu)
內(nèi)的有源硅元件之間的隔離薄膜或構(gòu)成有源器件結(jié)構(gòu)的一部分
(例如,表面場效應(yīng)MOS晶體管)。
“熱氧化層”是指硅與氧氣、水或其它含氧化合物在熱激發(fā)
反應(yīng)中所形成的氧化層。這個(gè)定義不僅包括硅在蒸汽或氧氣中
開管熱氧化,還包括高壓氧化和“加速”氧化的專門技術(shù)。
陽極氧化層是指通過電場作用使可動(dòng)離子在氣態(tài)或液態(tài)介
質(zhì)中遷移所產(chǎn)生的氧化層。
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