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亞微米技術(shù)的應(yīng)用主要將影響磁泡和半導(dǎo)體存貯器方面。
雖然首批用亞微米技術(shù)制造的存貯器可能為64 K的隨機(jī)存貯
器(RAM),但“百萬位芯片”也不是不可能的。這些結(jié)構(gòu)意味著
對單磁道磁頭的存貯系統(tǒng)來說,亞微米器件比磁盤或磁鼓更經(jīng)
濟(jì)。
超大規(guī)模集成電路技術(shù)將應(yīng)用于復(fù)雜性仍在不斷增加的新
產(chǎn)品中。帶有單片存貯器的單片中規(guī)模計(jì)算機(jī)迅速成為現(xiàn)實(shí),
不久將出現(xiàn)在一塊芯片上形成的完整的小型計(jì)算機(jī)。
封裝成本將限制亞微米技術(shù)在簡單集成電路中的應(yīng)用。如
果是i占片成本而不是封裝成本占主導(dǎo)地位,那么就能從亞微米
技術(shù)投資中獲利。
由于制版、檢查和其宅操作步驟的許多方面都有所改變,如
采用亞微米技術(shù),就需要有新的設(shè)施.
對準(zhǔn)是亞微米技術(shù)的一個(gè)關(guān)鍵因素。在大部分結(jié)構(gòu)中,
熱膨脹系數(shù)和物理?xiàng)l件的微小差異成為實(shí)際上的限制因素。但
對某些本來就不需要有高度對準(zhǔn)精度的磁泡或自對準(zhǔn)器件來
說,情況就并非如此了。工藝的發(fā)展以及類似予合成制版和自
對準(zhǔn)MOS柵的工藝研究和計(jì)劃可能會取得成果,這樣在無需
強(qiáng)調(diào)對準(zhǔn)步驟的情況下就可達(dá)到電子束技術(shù)的分辨率。
雖然采用掃描技術(shù)可將電子束連續(xù)投影在硅片上,但這是
一種速度較慢的工藝,無法使亞微米技術(shù)經(jīng)濟(jì)地使用于許多生
產(chǎn)場合。
在硅片上高速復(fù)制掩模的基本方法有兩種:一種是采用電
子束,另一種是采用x射線。電子束投影儀利用光電陰極作用,
整個(gè)掩模可發(fā)射電子,或可用機(jī)械結(jié)構(gòu)來掩蔽電子束。因?yàn)殡?/div>
子束與X射線一樣可沿直線投影,所以這兩種方法均可采用投
影技術(shù)。無論電子柬投影還是x射線投影均能在幾秒鐘內(nèi)曝
光一片碎片.
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