---
---
---(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品報(bào)價(jià))
本文標(biāo)題："測(cè)定半導(dǎo)體材料痕量雜質(zhì)的各種方法中技術(shù)的應(yīng)用分析"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2015-12-13 17:27:01 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
測(cè)定半導(dǎo)體材料痕量雜質(zhì)的各種方法中技術(shù)的應(yīng)用分析
象其他半導(dǎo)體材料一樣，碳化硅中痕量雜質(zhì)的極端靈敏分析方
法的需要主要是發(fā)展超提純法以及更好地了解雜質(zhì)對(duì)材料電性的
影響，關(guān)于發(fā)展靈敏而又方便的痕量分析法。
在用作測(cè)定半導(dǎo)體材料痕量雜質(zhì)的各種方法中，對(duì)低濃度范圍
有實(shí)際價(jià)值的工具僅僅是中子活化分析，質(zhì)譜和以射光譜，中子
活化分析對(duì)于許多雜質(zhì)元素是一種最靈敏的方法，已經(jīng)很成功地
用作分析超純鍺和硅，這種技術(shù)除了可以達(dá)到高的靈敏度以外，
還有最重要的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在分析過(guò)程中可避免污染和在十分低的
濃度范圍內(nèi)可以達(dá)到高的精確度，一般地說(shuō)來(lái)，這種方法是最適
用于0.001-1p.p.m濃度范圍，雖然這種技術(shù)在過(guò)去有著不可估計(jì)
的價(jià)值，但是由于有以下的三個(gè)局限性促使去發(fā)展高純半導(dǎo)體材
料的其他代替的分析方法。
第一、首先需要附近或有高熱中子通如核反應(yīng)堆可以使用，第
二是在計(jì)數(shù)之前為了達(dá)到最大有效靈敏度需要以化學(xué)法分離每一
種放射元素，若要測(cè)定已知樣品中的許多雜質(zhì)元素，則需要大量
的放射化學(xué)分離，而分析的時(shí)間可能要一星期或更長(zhǎng)一些，最后
，象其他的分析技術(shù)一樣，此法對(duì)于某些元素的測(cè)定是無(wú)效的，
在中子活化分析法中，不利的核性質(zhì)妨礙了以下元素的測(cè)定，鋰
、鈹、硼、碳、氮、氧、鎂、鋁、鈦、鋇和鈮，偏巧許多這些元
素，由于它們對(duì)半導(dǎo)體材料電性質(zhì)的顯著影響，卻是十分重要的
。
質(zhì)譜法在痕量分析中可以說(shuō)是一種很有力的工具，但是很少應(yīng)
用于半導(dǎo)體分析中，首先是由于儀器的價(jià)格非常昂貴，因此，提
出了其他許多更方便的方法。
所有資料用于交流學(xué)習(xí)之用，如有版權(quán)問(wèn)題請(qǐng)聯(lián)系，禁止復(fù)制,轉(zhuǎn)載注明地址
上海光學(xué)儀器一廠(chǎng)-專(zhuān)業(yè)顯微鏡制造商 提供最合理的顯微鏡價(jià)格
合作站點(diǎn)：http://www.sgaaa.com/顯微鏡百科