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本文標題："微電子器件的成品率-電子器件將是多層結構"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-3-21 17:05:17 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
微電子器件的成品率-電子器件將是多層結構
像硅這樣的半導體在低溫淀積條件下由于抑制了表面遷移
而形成非晶層．晶態(tài)固體具有長程原子有序排列，反之非晶固
體僅有短程有序(相當于最近鄰原子間的距離)．在非晶硅中，
共價鍵鍵長是一定的，因此最近鄰原子間的距離保持不變．然
而鍵角發(fā)生畸變并導致第二近鄰原子間距離明顯地不確定．
層狀結構
未來的電子器件將是多層結構的，必定是在高真空系統(tǒng)中
制造的．高密度集成電路的橫向尺寸將下降到0．1微米(100nm)
．生長過程的精度至少要控制到上述尺寸的1／10乃至1／100．
控制的尺度相當于幾個晶格常數(shù)．
如果薄膜和襯底的表面能不同，薄膜中的原子可以互相擇
優(yōu)鍵合而不是與襯底原子鍵合．這就導致薄膜原子在襯底上形
成原子團．當然對于電子器件而言原子成團不是所期望的薄膜
生長模式．由于原子成團要求原子橫向遷移，故能夠從降低薄
膜淀積溫度來抑制它的生成．
應力能夠引起微電子器件的成品率和可靠性問題．應力可
以被認為是亞穩(wěn)態(tài)條件；在應力弛豫時，受到外加的應力或熱
應力作用的互連導線會發(fā)生結構和形貌的變化．通過原子的輸
運和空洞的形成，金屬線內(nèi)的原子重新排列使應力得到弛豫．
原子的輸運導致金屬線內(nèi)小丘的形成，它能穿破絕緣層引起短
路，反之空洞將導致金屬線的電阻增大，甚至可以引起互連線
開路．本書的最后兩章將介紹由于電遷移和應力在薄膜中發(fā)生
的形貌變化．
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