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本文標(biāo)題："材料固有的晶體結(jié)構(gòu)特征分析便攜金相顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2016-5-28 1:09:09 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
材料固有的晶體結(jié)構(gòu)特征分析便攜金相顯微鏡
層生長(zhǎng)型
這種生長(zhǎng)類型的特點(diǎn)是：蒸發(fā)原子首先在冷凝表面上以單原
子層的形式均勻地覆蓋一層，然后再在三維方向生長(zhǎng)第二層、第
三層……這種生長(zhǎng)方式多數(shù)發(fā)生在冷凝原子與蒸發(fā)原子問(wèn)的結(jié)合
能接近于蒸發(fā)原子間的結(jié)合能的情況下。最典型的例子則是同質(zhì)
外延生長(zhǎng)及分子束外延。
層狀生長(zhǎng)的過(guò)程大致如下：入射到冷凝表面上的原子，經(jīng)過(guò)
表面擴(kuò)散并與其他原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍的
吸附原子便生成為二維小島。這類材料在表面上形成的小島濃度
大體是飽和濃度，即小島間的距離大體上等于吸附原子平均擴(kuò)散
距離。在小島生長(zhǎng)過(guò)程中，小島的半徑均小于平均擴(kuò)散距離，因此，
到達(dá)小島上的吸附原子在小島擴(kuò)散以后都被小島的邊緣所捕獲。
在小島表面上吸附原子濃度很低，不容易在三維方向上生長(zhǎng)。也就
是說(shuō)，只有在第n層小島已長(zhǎng)到足夠大，甚至小島已相互結(jié)合，第
n層已接近安全形成時(shí)，第n+1層的二維晶核或二維小島才有可
能形成，因而結(jié)晶是以層狀的形式生長(zhǎng)的。
層狀生長(zhǎng)時(shí)，靠近基體的結(jié)晶其晶狀結(jié)構(gòu)通常類似于基體的
結(jié)構(gòu)，只有到一定厚度時(shí)才過(guò)渡到該材料固有的晶體結(jié)構(gòu)。
(3)層核生長(zhǎng)型
在冷凝面和薄膜原子相互作用特別強(qiáng)的情況下，才容易出現(xiàn)
層核生長(zhǎng)型。首先在冷凝表面上長(zhǎng)1～2層單原子層，這種二維結(jié)構(gòu)
強(qiáng)烈地受到冷凝品格的影響，晶格常數(shù)有較大的畸變。然后再在這
原子層上吸附入射原子，并以核生長(zhǎng)的方式生成小島，最終形成
結(jié)晶。在半導(dǎo)體表面上形成金屬薄膜時(shí)，常常屬于這種類型。
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