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與晶態(tài)材料相比,非晶態(tài)材料的基本特征是其構(gòu)成原子在很大程度
上的混亂排布,體系的自由能比對(duì)應(yīng)的晶態(tài)要高,處于熱力學(xué)上的
亞穩(wěn)態(tài)。因此,獲得非晶態(tài)材料必須解決下述兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題:①形
成原子的混亂排布。②將這種熱力學(xué)上的亞穩(wěn)態(tài)在一定的溫度范圍
內(nèi)保存下來(lái),使之不發(fā)生向晶態(tài)的轉(zhuǎn)變�;谝陨蟽牲c(diǎn),人們開(kāi)發(fā)
出很多非晶態(tài)材料的制備方法,最常見(jiàn)的是液相冷凝法、氣相沉積
法和機(jī)械研磨法等。
液相冷凝法
首先將原材料加熱熔融成液態(tài),然后通過(guò)不同的途徑使熔體冷
卻凝固,最后致使熔體的無(wú)序結(jié)構(gòu)得以保留至固態(tài)而形成非晶態(tài)材
料。
氣相沉積法
先采用各種工藝將晶態(tài)材料的原子或分子離解出來(lái),然后促使
它們無(wú)規(guī)則地沉積到低溫冷卻底板上,從而形成非晶態(tài)。由于受到
導(dǎo)熱的限制,一般只能制備出非晶態(tài)的薄膜材料,厚度從幾十納米
到微米量級(jí)。近年來(lái)發(fā)展的高速濺射能夠制備出幾個(gè)毫米的塊狀非
晶材料。根據(jù)離解和沉積的方式不同,分為濺射、真空蒸發(fā)、輝光
放電、化學(xué)氣相沉積等,各適用于制備不同成分和不同類型的非晶
態(tài)材料。
濺射法
濺射法是在位于低壓氣氛中的兩個(gè)電極加上電壓,將氣體電離
,離子沖擊靶材表面,使其釋放去原子,這些原子在冷卻板上無(wú)規(guī)
則地沉積形成非晶態(tài)材料。一般將樣品制成多晶或研成粉末,壓縮
成型,進(jìn)行預(yù)燒以作為濺射用靶,抽真空后充入一定壓力的氬氣即
可進(jìn)行濺射。采用這種方法可以制備出大部分含稀土元素的非晶態(tài)
合金,也可以用來(lái)制備非晶態(tài)的硅和鍺。因?yàn)椴捎脷咫x子轟擊,樣
品中一般含有少量的氬,其他雜質(zhì)含量較少。通常非晶態(tài)薄膜的厚
度約為幾十個(gè)微米。
真空蒸發(fā)沉積
和濺射法相近,同為傳統(tǒng)的薄膜工藝。蒸發(fā)時(shí),在真空中將預(yù)先
配制好的材料加熱,并使從表面蒸發(fā)出來(lái)的原子沉積在襯底上。原
材料的加熱可以采用電阻加熱、高頻加熱或電子束轟擊等方法。
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