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本文標(biāo)題："氮化硅和一氧化硅摻雜技術(shù)種類分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-12-4 2:39:02 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
氮化硅和一氧化硅摻雜技術(shù)種類分析顯微鏡
過去使用的摻雜技術(shù)種類繁多，如合金結(jié)和生長結(jié)�，F(xiàn)在出現(xiàn)了新
技術(shù)，如離子摻雜法。但是，幾乎所有的半導(dǎo)體集成電路都使用擴(kuò)
散和外延生長。擴(kuò)散可以在硅片的特定區(qū)域里摻雜，外延生長是在
整個表面上均勻摻雜。
擴(kuò)散方法之所以能在特定區(qū)域里進(jìn)行摻雜，是由于二氧化硅能
掩蔽某些雜質(zhì)擴(kuò)散。因此，利用二氧化硅的掩蔽作用，按照幾何圖
形來控制雜質(zhì)擴(kuò)散。二氧化硅可以用熱生長法將半導(dǎo)體硅片的表面
轉(zhuǎn)變成二氧化硅，也可以用淀積法在半導(dǎo)體硅片上淀積二氧化硅。
其它材料，諸如氮化硅和一氧化硅，也可以用作擴(kuò)散掩模。
通過含硅化合物諸如硅烷、四氯化硅和三氯硅烷的熱分解作用
，可在單晶硅片上淀積單晶硅，這就是大家所熟悉的外延生長。用
外延生長方法，可以在單晶硅片上生長具有均勻電阻率的單晶層。
氧化二氧化硅薄膜在半導(dǎo)體器件工藝中可以用作擴(kuò)散掩模和擴(kuò)散源
，保護(hù)器件不受外界條件影響，以及實(shí)現(xiàn)器件的整個表面鈍化。二
氧化硅薄膜的制備方法有如下幾種：
1．熱氧化；
2．化學(xué)淀積；
3．電解氧化；
4．反應(yīng)濺射。
在功能塊的制造工藝中，普遍采用熱氧化和化學(xué)淀積這兩種方
法來形成二氧化硅薄膜。
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