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本文標題："液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-12-4 2:39:14 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源
用高溫熱氧化方法生長二氧化硅薄膜時，由于使用了很高的溫度，
致使硅樣品特性發(fā)生變化，如硅一二氧化硅界面的雜質(zhì)再分布、載
流子壽命的改變等，這些都是與高溫過程有關(guān)系。這是高溫熱氧化
方法的不足之處。
各種雜質(zhì)的特殊解取決于雜質(zhì)的擴散系數(shù)及其在半導(dǎo)體中的固溶度
。固溶度限定了表面摻雜的極限，或是某種雜質(zhì)對硅片摻雜的最高
濃度，而擴散系數(shù)是指雜質(zhì)擴散的速度。擴散速度較快的雜質(zhì)可減
少擴散時間，不過，集成電路制造過程要求多個擴散工序，因此最
初的擴散工序必須用較慢的擴散雜質(zhì)，以免這些雜質(zhì)在以后操作中
產(chǎn)生再分布。
液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源，因為固態(tài)擴散的雜質(zhì)
濃度主要是取決于固體的溫度，可控能力很差，雜質(zhì)源溫度的微小
變化就會導(dǎo)致蒸汽壓力的大幅度變化，從而使攜帶氣體的雜質(zhì)分量
產(chǎn)生難以控制的變化。先進的擴散方法是使用全氣體系統(tǒng)，這是控
制攜帶氣體中雜質(zhì)濃度最有效的方法(特別是在低濃度值時)。
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