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本文標(biāo)題："物理氣相沉積光刻零件分析圖像顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-13 22:19:32 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
物理氣相沉積光刻零件分析圖像顯微鏡
同時(shí)，溫度必須精確地控制，使整個(gè)硅片范圍的沉積條件保
持恒定。在這一加工溫度下，硅原子保持了大的動(dòng)能，使它能遷移
到晶片表面并占據(jù)表面上能量最有利的位置。因?yàn)閱尉Т碇虘B(tài)
下能量的最低值，所以沉積層優(yōu)先生長(zhǎng)為單晶層。如果在反應(yīng)氣中
添加適當(dāng)?shù)幕旌衔�，則沉積層可以相應(yīng)地被摻雜。
物理氣相沉積(PVD)
幾乎沒(méi)有例外，濺射是惟一用于制造半導(dǎo)體的PVD方法。氬離
子可以由外加的電壓加速后射向目標(biāo)靶，由于氬離子與目標(biāo)靶表層
碰撞后的能量轉(zhuǎn)換，目標(biāo)靶上的中性離子被濺射出后，接下來(lái)冷凝
在基體上。在濺射過(guò)程中，到達(dá)基體的氬離子比蒸氣中的氬離子的
能量高10一100倍。因此濺射形成的薄膜具有較好的粘接力。
濺射技術(shù)的最終突破是所謂的磁控濺射。磁控濺射與傳統(tǒng)的濺
射技術(shù)和蒸發(fā)法生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)涂層相比較，可以實(shí)現(xiàn)高的薄膜生長(zhǎng)率
光刻(薄膜圖形化)
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