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本文標(biāo)題："蝕刻輪廓測(cè)量?jī)x-精密加工計(jì)量?jī)x器"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-14 1:52:49 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
蝕刻輪廓測(cè)量?jī)x-精密加工計(jì)量?jī)x器
如不考慮溶解度極限和熱動(dòng)力學(xué)平衡，則可以用任何元素通過(guò)
離子注人來(lái)生產(chǎn)任何特殊需要的摻雜分布(或?yàn)楸宦袢说姆植?。因
此，離子注入是研究和開發(fā)新產(chǎn)品的有用工具�？墒�，離子注入機(jī)
和相關(guān)的光刻設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線最大的投資。
離子注入的一個(gè)缺點(diǎn)是外來(lái)濺射產(chǎn)物對(duì)硅片所造成的污染。加
速的離子束對(duì)孔徑和儀器內(nèi)部的部件有相當(dāng)大的濺射作用。因此
，不希望雜質(zhì)沉積在單晶硅片上。一個(gè)解決的方法是，重新設(shè)計(jì)離
子束的軌跡使所有離子束能碰到的物體必須由高純硅來(lái)制造
蝕刻(薄膜去除)
蝕刻技術(shù)仍為在浸槽中對(duì)尺寸小于3ttm的結(jié)構(gòu)進(jìn)行濕式化學(xué)蝕
刻。非晶態(tài)，多晶體和單晶體材料的濕式化學(xué)蝕刻基本上是各向同
性的，即蝕刻在所有方向均勻進(jìn)行。這種濕式化學(xué)蝕刻在抗蝕劑掩
模上形成的蝕刻輪廓為球形孔洞。這一方法需要對(duì)蝕刻參數(shù)和時(shí)
間進(jìn)行精密控制，以使部分涂有抗蝕劑的晶片表面優(yōu)先處于既不過(guò)
蝕刻也不欠蝕刻的狀況。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的日益減小，進(jìn)一步維持濕
式化學(xué)蝕刻方法的這種優(yōu)勢(shì)變得日益困難，當(dāng)結(jié)構(gòu)尺寸小于2μm時(shí)
，濕式化學(xué)蝕刻方法已被定向的干式化學(xué)蝕刻方法所代替。
在具有大的粒子自由路程的空氣稀薄環(huán)境中，可以在一個(gè)優(yōu)先
方向上使用靜電加速離子，對(duì)晶片表面進(jìn)行各向異性的蝕刻。
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