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本文標(biāo)題："硅基上印制圖樣光刻設(shè)備的精度分析顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-23 21:31:23 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
硅基上印制圖樣光刻設(shè)備的精度分析顯微鏡
現(xiàn)代CM0S制程使用的幾何尺寸明顯小于用于在硅基上印制圖
樣的光刻設(shè)備的精度。亞波長(zhǎng)光刻會(huì)打破缺陷電路引發(fā)的平衡。
引發(fā)電路失效的缺陷主要有兩類(lèi)。一類(lèi)是由于可見(jiàn)的物理缺陷
，它會(huì)改變硅基上電路的結(jié)構(gòu)并引起諸如互連開(kāi)路、過(guò)孔缺失、
晶體管短路等類(lèi)型的違規(guī)。這些類(lèi)別的缺陷是任意隨機(jī)的，在早期
的cM0s中是很普遍的類(lèi)型。艏祝性缺陷這一術(shù)語(yǔ)通常指代這種類(lèi)型
的缺陷，但有點(diǎn)用詞不當(dāng)，因?yàn)殡S機(jī)效應(yīng)也能影響另一個(gè)主要類(lèi)型
的缺陷，也就是參數(shù)性缺陷。參數(shù)性失效是由于晶體管特性、互連
線和過(guò)孔中的電氣變化所引起的。與物理缺陷不同，這一變化是不
可見(jiàn)的，并且大多數(shù)都劃歸為系統(tǒng)性缺陷類(lèi)別。在過(guò)孔、光刻聚焦
或失調(diào)、銅凹陷以及金屬寬度／厚度變化中，這類(lèi)例子尤為明顯。
雖然許多參數(shù)性缺陷都是系統(tǒng)性的，但實(shí)際上更多的是隨機(jī)性
的。之前已經(jīng)給出了一個(gè)例子，也就是隨機(jī)摻雜波動(dòng)。其他的例子
包括線邊沿和線寬粗糙，柵介質(zhì)、氧化層厚度以及固定參數(shù)的改變
。本質(zhì)上，所有的這些都是由物理原因引起的，但電路上產(chǎn)生的效
應(yīng)都是參數(shù)性變化。這些參數(shù)性變化結(jié)果會(huì)提高電路失效的風(fēng)險(xiǎn)。
不同的物理機(jī)制下的變化效應(yīng)。需要注意的是絕大部分的變化效應(yīng)
會(huì)對(duì)延遲造成影響。雖然其中一些并不會(huì)導(dǎo)致電路失效，然而更多
的都會(huì)導(dǎo)致，這意味著固態(tài)延遲測(cè)試方案勢(shì)在必行。
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