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本文標(biāo)題："圖像傳感器科學(xué)與工程3D成像和多像素測(cè)距技術(shù)"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-23 21:31:36 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
圖像傳感器科學(xué)與工程3D成像和多像素測(cè)距技術(shù)
近年來(lái)，在圖像傳感器科學(xué)與工程領(lǐng)域，3D成像和多像素測(cè)距成為
最重要和最富有創(chuàng)新性的研究領(lǐng)域之一。在距離測(cè)量過(guò)程中，需要
計(jì)算由單色或?qū)挷ǘ喂庠串a(chǎn)生的光線從光源出發(fā)并經(jīng)過(guò)目標(biāo)物體反
射后到達(dá)探測(cè)器所需要的飛行時(shí)間。目前至少有兩種辦法可以測(cè)量
飛行時(shí)間：直接法和間接法。在直接法(D．TOF)測(cè)量方法中，需要
測(cè)量與光源同步的起始脈沖到由探測(cè)器產(chǎn)生的停止信號(hào)之間的時(shí)間
差；在間接法(I—TOF)測(cè)量方法中，發(fā)射出連續(xù)的正弦光信號(hào)，然
后測(cè)量輸出與輸人信號(hào)之間的相位差。使用相位差信息就能夠通過(guò)
已知的公式計(jì)算出時(shí)問(wèn)差。
單光子雪崩光電二極管(sPAD)或蓋革模式雪崩光電二極管(GAP
D)是能夠以幾十皮秒量級(jí)的非常高到達(dá)時(shí)間測(cè)量分辨率能力捕捉單
個(gè)光子的探測(cè)器�？赏ㄟ^(guò)專(zhuān)用硅T藝或標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制備這些探測(cè)
器。通常情況下大多數(shù)SPAD工作在室溫條件，不過(guò)也可以通過(guò)制冷
方式獲得更好的噪聲性能。盡管目前已經(jīng)出現(xiàn)了用III—V材料制備
的固態(tài)SPAD，而且相關(guān)文獻(xiàn)也不勝枚舉，但是在本章僅關(guān)注硅基器
件。
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