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本文標題："金屬氧化物半導體(CMOS)質(zhì)量檢測顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-24 19:57:25 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
金屬氧化物半導體(CMOS)質(zhì)量檢測顯微鏡
試質(zhì)量指標的詳細分析。不僅對現(xiàn)有指標的不同用途進行了探索(
產(chǎn)品質(zhì)量對比測試質(zhì)量)，而且提出了一種新的指標。新指標的基
本假設就是測試質(zhì)量應該隨著測試模式集而變化，并且與實際覆蓋
率和可能檢測到的小延遲缺陷的尺寸具有更好的相關性。
在未來的研究挑戰(zhàn)中，與小延遲缺陷相關的失效的有效診斷和
物理失效分析(PFA)是理解這些缺陷的行為和產(chǎn)生源頭的關鍵所在
。注意到過渡故障的診斷／PFA是冗長乏味的并在先進的工藝節(jié)點
中逐漸成為挑戰(zhàn)，小延遲缺陷的診斷／PFA是很艱巨的。就未來而
言，隨著技術水平革新到20nm以下以及像使用Fin—Fet的特殊的電
路結(jié)構，可能需要對小延遲缺陷具有清晰和一貫的了解。相比于基
體互補金屬氧化物半導體(CMOS)，能看到在FinFet中小延遲缺陷是
如何影響電路的設計和性能將會是非常有意思的事情
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