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不同于普通燒結(jié)微波燒結(jié)的陶瓷分析
進(jìn)燒結(jié)過(guò)程中的離子擴(kuò)散,不會(huì)引起晶粒異常生長(zhǎng)。微波燒結(jié)溫度
比一般燒結(jié)溫度低150-200"C。一般燒結(jié)1300℃保溫30 rain,燒結(jié)
瓷的晶粒尺寸約10,um,微波燒結(jié)為11001=,10 rain,燒結(jié)瓷的晶
粒尺寸為5 pm。日本宇部公司治田.踟j指出:普通燒結(jié)費(fèi)時(shí)較長(zhǎng)
,如8~10 h,且升降溫速率也較慢,為晶粒生長(zhǎng)及晶界偏析提供
了條件。在普通電爐燒結(jié)中,要避免晶界偏析,幾乎不可能,而微
波燒結(jié)可迅速升溫,如1800--7000℃/h,晶粒生長(zhǎng)受限制,限制
雜質(zhì)元素在晶界偏析,很大程度地改變了晶界性質(zhì)。他采用摻Nb—
BaTi()3瓷、6GHz微波、升降溫度速率為20℃/rain、保溫5 rain
、總燒結(jié)時(shí)間1.5 h。普通燒結(jié)晶界有鈮的偏析,微波燒結(jié)中晶界
不但無(wú)偏析,且缺鈮,普通燒結(jié)中要獲得半導(dǎo),摻鈮量應(yīng)為0.1%
~0.5%(原子分?jǐn)?shù)),而微波燒結(jié)中用0.1%-0.8%(原子分?jǐn)?shù))
均可獲半導(dǎo)瓷,且晶粒僅為1~3”m。普通燒結(jié)中晶粒達(dá)20/.tm
。歸納看來(lái)微波燒結(jié)有幾方面優(yōu)點(diǎn):(1)半導(dǎo)摻雜用量明顯較寬,
有利于制備低阻瓷;(2)能降低燒結(jié)溫度,避免晶粒異常生長(zhǎng),有
利于提高耐電壓;(3)縮短燒結(jié)時(shí)間,從8~10 h減為0.5~1.5h
;(4)有利于減少鉛揮發(fā)。微波燒結(jié)的陶瓷,其性能變化的規(guī)律性
,不同于普通燒結(jié)。微波燒結(jié)已顯示一定優(yōu)越性,但用于工業(yè)化生
產(chǎn),尚需進(jìn)行更多的工作。
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