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本文標(biāo)題："大多數(shù)聚合物電介質(zhì)焊接分析質(zhì)量檢測(cè)顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2019-3-1 4:01:55 本站主頁(yè)地址：http://www.y7853.cn
頻率特性——聚合物電介質(zhì)通常在電特性上表現(xiàn)出頻率依賴特性。舉
例來說，許多聚合物由于分散效應(yīng)，在高頻率下介電常數(shù)有很大的衰減。
因此介 園電性能必須和應(yīng)用所需頻率相匹配。
界面特性——電介質(zhì)的界面對(duì)于設(shè)備的性能有很大的影響。在電介質(zhì)
半導(dǎo)體界面的高陷阱密度會(huì)造成設(shè)備性能的顯著下降。另外，界面可能改
變其自身的形貌以及填充結(jié)構(gòu)（例如，在底柵型結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體沉積在電
介質(zhì)上面。因此，由于電介質(zhì)會(huì)對(duì)半導(dǎo)體初始幾層的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生模板效應(yīng)，
電介質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體堆積具有很強(qiáng)的影響）。
相對(duì)介電常數(shù)——通常來說，大多數(shù)聚合物電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)在2
.5到4之間。最近的研究表明使用低介電常數(shù)的材料對(duì)于有機(jī)晶體管實(shí)現(xiàn)高
電子遷移率具有較好的效果，但是這種關(guān)系在其普遍性上仍有一些分歧。
使用低介電常數(shù)材料的一個(gè)缺點(diǎn)是需要使用十分薄的電介質(zhì)層，使柵和溝
道材料達(dá)到最佳的耦合作用。由于在印刷過程達(dá)到這一要求很困難，這就
會(huì)在印刷晶體管中引發(fā)工作電壓降低的問題。
高k介質(zhì)
如上所述，大部分聚合物電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)范圍在2.5到4。為了
獲得低操作電壓，需要提高柵和溝道材料間的耦合作用。增加耦合作用的
簡(jiǎn)單方法是增加半導(dǎo)體的介電常數(shù)（值得注意的是，近幾年的數(shù)據(jù)表明半
導(dǎo)體直接接觸高k介質(zhì)會(huì)降低有機(jī)半導(dǎo)體的電子遷移率；然而，假如在半導(dǎo)
體和電介質(zhì)問使用低k界面層，就有可能使用高k介質(zhì)材料促進(jìn)耦合作用。
然而這個(gè)問題依舊飽受爭(zhēng)論）。用于促進(jìn)介電常數(shù)的一些技術(shù)在文獻(xiàn)中已
有報(bào)道。包括： 園
使用高k納米顆�！愃朴谥坝懻摰募{米顆粒導(dǎo)體，使用納米顆粒
印刷高k介質(zhì)是可實(shí)現(xiàn)的。迄今為止，制作這樣的低泄漏的薄膜是很困難的
，岡為在這種薄膜會(huì)趨于形成類似于空隙、裂縫等大量的缺陷。
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