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本文標(biāo)題："生氧化硅、孔隙度石英顆粒分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2019-5-16 3:15:53 本站主頁地址：http://www.y7853.cn
生氧化硅、孔隙度石英顆粒分析顯微鏡
氧化硅的來源，控制沉淀作用的物理化學(xué)條件，以及氧化硅膠結(jié)性與
壓溶之間的關(guān)系等都直接受到注意(據(jù)伊里蘭德，Ireland， 1959) 。
毫無疑問，氧化硅膠結(jié)物可從溶液中沉淀出來。溶液中的氧化硅來自
放射蟲、硅藻殼和硅質(zhì)海綿骨針等有機碎屑。同樣，有些富硅溶液必定是
從壓實粘土中排出的。人工培植氧化硅晶簇，曾做過大量成功的試驗。在
高溫高壓-F即可獲得晶簇(據(jù)赫爾德和倫頓， Heald and Renton， 196
6； 帕拉掛蘇， Paraguassu，1972)，在常溫常壓下也可獲得(據(jù)馬肯茲
和吉斯，Mackenzieand Gees， 1971)，
研究次生氧化硅、孔隙度和埋藏深度之間的關(guān)系無疑要與壓溶或壓熔(
Pressure welding)現(xiàn)象結(jié)合起來。許多薄片顯示，石英顆粒彼此緊擠，次
生氧化硅則在鄰近顆粒間接觸點處沉淀。許多研究工作者根據(jù)這些觀察都
認為，當(dāng)砂被壓縮時，顆粒接觸處的氧化硅被溶解并瞬即再沉淀。最近里
坦霍斯(Rittenhouse，1971)對孔隙度減少作了定量分析。這個分析把壓溶
與顆粒形態(tài)和填積結(jié)合起來。
泰勒(Taylor，1950)認為，隨著埋藏深度的增加，每個顆粒接觸鄰近
顆粒的數(shù)量，可從接近地表處的1、 2個增加到深處的5個或5個以上。同
時，他還說明顆粒的接觸性質(zhì)隨埋藏深度的增加而變化。在淺部，巖石的
顆粒接觸關(guān)系普遍為顆粒相切或點狀接觸；向下漸變?yōu)殚L形狀接觸，顆粒
邊緣并排地貼在一起；再往深處，顆粒變?yōu)榘纪瓜嘟樱撎帀喝茏饔脧娏?/div>
，接觸邊緣普遍縫合。上述顆粒接觸在數(shù)量和性質(zhì)上的變化，是和孔隙度
的逐漸降低相伴隨的
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